【求助】DOS图怎么看?
态密度图的平滑分布通常表示电子的非局域化性质强，而尖峰则表明电子主要局域于特定轨道。此外，态密度图还可以用来分析能隙特性，通过观察费米能级与DOS的关系，可以判断体系是金属、半导体还是绝缘体。分波态密度（PDOS）和局域态密度（LDOS）的分析则能提供更详细的信息，帮助理解不同点处的成键情况。
现在打开你的ms-dos(开始→程序→ms-dos)，用win2000的朋友打开cmd.exe（这是win2000下的ms-dos，开始→程序→附件→命令提示符 或 开始→搜索文件或文件夹→填入cmd.exe，找到后双击运行就可以了。
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逆断层：上盘相对上升、下盘相对下降的断层，主要是受水平挤压力作用形成的。平推断层：断层两盘沿断层面定向作水平相对位移，断层面陡直，又称平移断层。此类断层形成于较强烈的水平挤压作用下。答案：图3是逆断层，（收到挤压，D跟D错位，上盘上升，DOS为上盘），图4图四正断层。
▽E=ρ/ε0,ρ是自由电荷密度还是全部电荷密度?
1、在电场强度（E）的公式中，ρ表示的是全部电荷密度，即包括自由电荷和束缚电荷的总电荷密度。- 自由电荷：自由电荷是指能够在物质中自由移动的电荷，通常是与原子或分子结构无关的电荷，比如金属中的自由电子。
2、电场的散度▽·E=ρ/ε，（ε表介电常数，ρ表示电荷密度）所以在有电荷聚集的地方电场是有散度的，其他地方没有. 真空中静电场的电场强度 E 满足下列两个积分形式的方程①∮s E·ds＝q/ε(此式称为高斯定律。
3、电荷密度是一种度量，描述电荷分布的密度。它可以根据电荷分布的不同形式分为以下几类：线电荷密度：定义：描述电荷分布于一条曲线或一根直棒子时，每单位长度的电荷量。单位：库仑/米。面电荷密度：定义：描述电荷分布于一个平面或曲面时，每单位面积的电荷量。
4、在均匀带电球内，电场强度与距离球心的距离r成正比。根据高斯定理，电势ΦE与高斯面内包含的所有锋并虚电荷电量成正比。对于球体，ΦE=E∮ds，其中E是电场强度。当r≥R（R为球体半径）时，场点不在球体内，电场强度E可以表示为E=(4/3πR^3ρ)/(ε04πr^2)，其中ρ是电荷密度。
5、泊松方程式可以表示为：2Φ = -ρ/ε0 其中2Φ表示电势Φ在某个区域内的拉普拉斯算子，而-ρ/ε0则是该区域内的电荷体密度。这个方程可以帮助我们确定电场强度E与电势Φ之间的关系。静电场：指的是观察者与电荷量不随时间发生变化的电荷相对静止时所观察到的电场。
均匀带电球壳内表面的电荷分布情况
想象一个空心金属球壳，表面均匀分布着电荷，它的独特性质决定了其内部的电荷分布。在理想情况下，当它保持真空状态，内部不会承载任何电荷，这是由于金属导体的性质决定的——带电量仅停留在表面，内部则保持中性。
E=Q/4πεr^2 ，rR，以球心为中心，做个半径小于R的球面作为高斯面，因为高斯面内的净电荷为零，所以球面内的场强处处为零。在电场中某一点，试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。
带电量为Q，半径为R。均匀带电球面内外场强及电势分布 内部 场强E=0 球外部等效成球心处一点电荷 E=KQ/r^2 rR 电势相等，球外部等效成球心处一点电荷Φ=KQ/r，如果是均匀带电球体，结果与球壳相同。
在距离球心r处做高斯球面，球面上的电通量为(4/3πr×δ)/ε，因为场强均匀分布，所以场强的大小直接再除以面积4πr即可。需要分别求出球内外电势分布，第一种先求出场强分布，根据dU=Edr，积分求电势。
电荷量为+q的均匀带电球面，以球心为坐标原点，沿半径方向建立x轴，理论分析表明，x轴上各点的场强度x变化关系关系如图乙。根据静电平衡可知，球内部的电场强度处处为零，即E=0（0＜x＜R），而球外部电场强度公式E=kq/x（x＞R）。球面内外电场强度的分布如上图所示。
金属球壳内有一点电荷,为什么点电荷在壳内移动不影响外部电场?
可以这样简单的理解，因为球内金属球壳内层和外层之间的部分中的电场强度为0，因此金属球壳内部的部分不会对外部电荷的分布产生影响，因此金属球壳外表面的电荷是均匀的分布在球壳外表面的，这个也可以由唯一性定理确定。
这是导体壳内有带电体的问题 用高斯定理来求解 在球壳内外表面之间做一个高斯面S，由于高斯面在导体内部，静电平衡时场强处处为零，所以通过S的通量=0，于是根据高斯定理，S内∑q=0，所以若导体壳内有带电体q，则导体内表面一定带电-q。
没有。屏蔽现象分为两种：一种是内屏蔽，一种是外屏蔽。内屏蔽是指外部电场对封闭导体球壳内无影响，也就是说整个封闭导体球壳的内部无电场，整个导体球壳是等势体。这个不难理解。
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