内存计时是什么意思（内存计时是什么意思呢）

内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMDRate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS:
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快

内存的RFC值倒底是什么东西有回答正确的100分

这是内存计时中的一个指标，是代表内存行刷新周期时间，是内存中的行单元刷新所需要的时钟周期数的数值，也是表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送REF指令之间的时间间隔的数值。追问

4G的会比2G的长么？

追答

对，相同类型的内存条4GB比2GB的RFC值更大。

内存计时 266MHZ、266MHz、200MHZ是什么意思？

内存的主频..也像CPU一样...

“内存计时 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)”是什么意思？

这是内存的时序表,一般来说时序越低,内存延迟越低,性能越好.
但性能不只尤时序决定,还取决于内存频率.
当内存频率越高,时序越低时,内存性能便很好.
当然如果要OC,内存体质就是关键.

DDR内存的内存计时是何意思？

内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMDRate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS:
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快

DDR内存的内存计时是什么意思？如题 谢谢了

内存参数规格： 内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式， 分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数， 也就是tRAS和CMD(Command缩写)， 是其中较复杂的时序参数。 目前市场上对这两个参数的认识有一些错误， 因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。 CMDRate祥解： Command Rate译为"首命令延迟", 这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令 ，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（ 通过DIMM上CS片选信号进行）。 如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了， 因为此时只有一个物理Bank。 用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定， 是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计， 高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大， 其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。 Intel对CMD这个问题就非常敏感， 因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。 这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。 宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告， 因为所有的无缓冲（unbuffered） 内存都应具有1T的CMDRate， 最多支持四个Bank每条内存通道， 当然也不排除芯片组的局限性。 tRAS: tRAS在内存规范的解释是Active to PrechargeDelay，行有效至行预充电时间。 是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲） 真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要， 其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙， 但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。 tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)， 但发生的不多。 接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD, 以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？ CAS: CAS意为列地址选通脉冲(ColumnAddress Strobe或者ColumnAddress Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间， 通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中， 因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上， 这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的， 在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后， 首先被触发的是tRAS(Activeto PrechargeDelay)，数据被请求后需预先充电， 一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址， 行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。 整个过程也就是先行寻址再列寻址。 从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。 因为CAS是寻址的最后一个步骤， 所以在内存参数中它是最重要的。 tRCD: 根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS, RAS是指Row AddressStrobe，行地址选通脉冲。 CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS( 数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发) 并不是连续的，存在着延迟。然而， 这个参数对系统性能的影响并不大， 因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。 在同个程序中一般都会在同一行中寻址， 这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。 tRP: tRP指RASPrechargeTime， 行预充电时间。 也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。 简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD,和CAS之后， 需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。 这也是内存工作最基本的原理。 如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染， 此时一个程序就需要使用很多的行来存储， tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快